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AOT430
AOT430 -
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AOT430
仓库库存编号:
785-1145-2-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 268W(Tc) TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AOT430产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
114nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
11.5 毫欧 @ 30A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4700pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
268W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
数据列表
AOT430
TO220 Pkg Drawing
其它有关文件
AOS Green Policy
标准包装
1,000
其它名称
785-1145-2
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 268W(Tc) TO-220
型号:
AOT430
仓库库存编号:
785-1145-5-ND
别名:785-1145-1
785-1145-1-ND
785-1145-5
无铅
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 通孔
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 -
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷(TR)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±25V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11.5 毫欧 @ 30A,10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4700pF @ 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4700pF @ 30V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 268W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 75V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
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