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AOTF15B60D2
AOTF15B60D2 -
IGBT 15A
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AOTF15B60D2
仓库库存编号:
AOTF15B60D2-ND
描述:
IGBT 15A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 23A 42W Through Hole TO-220-3F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AOTF15B60D2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
Alpha IGBT??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220-3F
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
105ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
42W
Current - Collector (Ic) (Max)
23A
测试条件
400V,10A,30 欧姆,15V
开关能量
260μJ(开),70μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
40A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.8V @ 15V,10A
25°C 时 Td(开/关)值
10ns/72ns
栅极电荷
17.4nC
关键词
产品资料
数据列表
AOTF15B60D2
TO220F Pkg Drawing
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标准包装
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封装/外壳 TO-220-3 整包
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 TO-220-3 整包
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 通孔
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 Alpha IGBT??
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 Alpha IGBT??
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 Alpha IGBT??
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 在售
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 TO-220-3F
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3F
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输入类型 标准
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 105ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 42W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 42W
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Current - Collector (Ic) (Max) 23A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 23A
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测试条件 400V,10A,30 欧姆,15V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 测试条件 400V,10A,30 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,10A,30 欧姆,15V
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开关能量 260μJ(开),70μJ(关)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 260μJ(开),70μJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
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IGBT 类型 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,10A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,10A
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25°C 时 Td(开/关)值 10ns/72ns
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 25°C 时 Td(开/关)值 10ns/72ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 10ns/72ns
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栅极电荷 17.4nC
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 栅极电荷 17.4nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 17.4nC
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