BLF6G22-180RN,112,Ampleon USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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BLF6G22-180RN,112
BLF6G22-180RN,112 -
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Ampleon USA Inc.
Ampleon USA Inc.
制造商产品编号:
BLF6G22-180RN,112
仓库库存编号:
568-8647-ND
描述:
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 30V 1.4A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 40W LDMOST
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BLF6G22-180RN,112产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-502A
制造商
Ampleon USA Inc.
系列
-
包装
托盘
频率
2.11GHz ~ 2.17GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
LDMOST
电压 - 额定
65V
额定电流
49A
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
1.4A
增益
16dB
噪声系数
-
电压 - 测试
30V
功率 - 输出
40W
关键词
产品资料
数据列表
BLF6G22(LS)-180RN
PCN 过时产品/ EOL
Multiple Devices 31/Dec/2011
标准包装
20
其它名称
568-8647
934062733112
BLF6G22-180RN,112-ND
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封装/外壳 SOT-502A
Ampleon USA Inc. 封装/外壳 SOT-502A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 SOT-502A
Ampleon USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 SOT-502A
制造商 Ampleon USA Inc.
Ampleon USA Inc. 制造商 Ampleon USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 Ampleon USA Inc.
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -
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包装 托盘
Ampleon USA Inc. 包装 托盘
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 托盘
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频率 2.11GHz ~ 2.17GHz
Ampleon USA Inc. 频率 2.11GHz ~ 2.17GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 2.11GHz ~ 2.17GHz
Ampleon USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 2.11GHz ~ 2.17GHz
零件状态 过期
Ampleon USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
Ampleon USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 LDMOST
Ampleon USA Inc. 供应商器件封装 LDMOST
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 LDMOST
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电压 - 额定 65V
Ampleon USA Inc. 电压 - 额定 65V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
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额定电流 49A
Ampleon USA Inc. 额定电流 49A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 49A
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晶体管类型 LDMOS
Ampleon USA Inc. 晶体管类型 LDMOS
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 1.4A
Ampleon USA Inc. 电流 - 测试 1.4A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.4A
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增益 16dB
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 16dB
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噪声系数 -
Ampleon USA Inc. 噪声系数 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
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电压 - 测试 30V
Ampleon USA Inc. 电压 - 测试 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 30V
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功率 - 输出 40W
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