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产品规格

封装/外壳	TO-78-6 金属罐
制造商	Analog Devices Inc.
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-78-6
晶体管类型	2 PNP（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	100mV @ 100μA，1mA
频率 - 跃迁	190MHz
功率 - 最大值	500mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	36V
关键词

产品资料

数据列表	MAT03
标准包装	1

封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Analog Devices Inc. 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐   制造商 Analog Devices Inc.  Analog Devices Inc. 制造商 Analog Devices Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Analog Devices Inc.  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Analog Devices Inc.   安装类型 通孔  Analog Devices Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Analog Devices Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Analog Devices Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Analog Devices Inc. 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  Analog Devices Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-78-6  Analog Devices Inc. 供应商器件封装 TO-78-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6   晶体管类型 2 PNP（双）  Analog Devices Inc. 晶体管类型 2 PNP（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Analog Devices Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   电流 - 集电极截止（最大值） -  Analog Devices Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 100μA，1mA  Analog Devices Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 100μA，1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 100μA，1mA  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 100μA，1mA   频率 - 跃迁 190MHz  Analog Devices Inc. 频率 - 跃迁 190MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 190MHz  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 190MHz   功率 - 最大值 500mW  Analog Devices Inc. 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  Analog Devices Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 36V  Analog Devices Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 36V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 36V  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 36V