MAT12AHZ,Analog Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MAT12AHZ - 

TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6

Analog Devices Inc. MAT12AHZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MAT12AHZ
仓库库存编号：
MAT12AHZ-ND
描述：
TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 40V 20mA 200MHz Through Hole TO-78-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MAT12AHZ产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-78-6 金属罐  
  制造商  Analog Devices Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -65°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-78-6  
  晶体管类型  2 NPN（双）配对  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  -  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500pA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  200mV @ 100μA，1mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  功率 - 最大值  -  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  20mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 MAT12
标准包装 1

MAT12AHZ您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

MAT12AHZ相关搜索

封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Analog Devices Inc. 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐   制造商 Analog Devices Inc.  Analog Devices Inc. 制造商 Analog Devices Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Analog Devices Inc.  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Analog Devices Inc.   安装类型 通孔  Analog Devices Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Analog Devices Inc. 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Analog Devices Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Analog Devices Inc. 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Analog Devices Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-78-6  Analog Devices Inc. 供应商器件封装 TO-78-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6   晶体管类型 2 NPN（双）配对  Analog Devices Inc. 晶体管类型 2 NPN（双）配对  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）配对  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）配对   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Analog Devices Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   电流 - 集电极截止（最大值） 500pA  Analog Devices Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 500pA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 500pA  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 500pA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 100μA，1mA  Analog Devices Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 100μA，1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 100μA，1mA  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 100μA，1mA   频率 - 跃迁 200MHz  Analog Devices Inc. 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz   功率 - 最大值 -  Analog Devices Inc. 功率 - 最大值 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  Analog Devices Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Analog Devices Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Analog Devices Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号