NOJS685M004RWJ,AVX Corporation,电容器,氧化铌电容器
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NOJS685M004RWJ
NOJS685M004RWJ -
CAP NIOB OXIDE 6.8UF 20% 4V 1206
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
AVX Corporation
AVX Corporation
制造商产品编号:
NOJS685M004RWJ
仓库库存编号:
478-3203-2-ND
描述:
CAP NIOB OXIDE 6.8UF 20% 4V 1206
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Niobium Oxide Capacitor 1206 (3216 Metric)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NOJS685M004RWJ产品属性
产品规格
ESR(等效串联电阻)
2.6 Ohms
封装/外壳
1206(3216 公制)
制造商
AVX Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 105°C
系列
OxiCap? NOJ
包装
带卷(TR)
高度 - 安装(最大值)
0.047"(1.20mm)
大小/尺寸
0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
零件状态
在售
供应商器件封装
1206(3216 公制)
特性
-
电容
6.8μF
容差
±20%
制造商尺寸代码
S
电压 - 额定
4V
电流 - 漏泄
1μA
耗散因数
6%
关键词
产品资料
数据列表
NOJ Series Low Profile
3D 型号
Polymer,Tantalum,Niobium Oxide Capacitors.stp
标准包装
2,500
其它名称
478-3203-2
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封装/外壳 1206(3216 公制)
AVX Corporation 封装/外壳 1206(3216 公制)
氧化铌电容器 封装/外壳 1206(3216 公制)
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制造商 AVX Corporation
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AVX Corporation 氧化铌电容器 制造商 AVX Corporation
安装类型 表面贴装
AVX Corporation 安装类型 表面贴装
氧化铌电容器 安装类型 表面贴装
AVX Corporation 氧化铌电容器 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 105°C
AVX Corporation 工作温度 -55°C ~ 105°C
氧化铌电容器 工作温度 -55°C ~ 105°C
AVX Corporation 氧化铌电容器 工作温度 -55°C ~ 105°C
系列 OxiCap? NOJ
AVX Corporation 系列 OxiCap? NOJ
氧化铌电容器 系列 OxiCap? NOJ
AVX Corporation 氧化铌电容器 系列 OxiCap? NOJ
包装 带卷(TR)
AVX Corporation 包装 带卷(TR)
氧化铌电容器 包装 带卷(TR)
AVX Corporation 氧化铌电容器 包装 带卷(TR)
高度 - 安装(最大值) 0.047"(1.20mm)
AVX Corporation 高度 - 安装(最大值) 0.047"(1.20mm)
氧化铌电容器 高度 - 安装(最大值) 0.047"(1.20mm)
AVX Corporation 氧化铌电容器 高度 - 安装(最大值) 0.047"(1.20mm)
大小/尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
AVX Corporation 大小/尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
氧化铌电容器 大小/尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
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零件状态 在售
AVX Corporation 零件状态 在售
氧化铌电容器 零件状态 在售
AVX Corporation 氧化铌电容器 零件状态 在售
供应商器件封装 1206(3216 公制)
AVX Corporation 供应商器件封装 1206(3216 公制)
氧化铌电容器 供应商器件封装 1206(3216 公制)
AVX Corporation 氧化铌电容器 供应商器件封装 1206(3216 公制)
特性 -
AVX Corporation 特性 -
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电容 6.8μF
AVX Corporation 电容 6.8μF
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容差 ±20%
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氧化铌电容器 容差 ±20%
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制造商尺寸代码 S
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氧化铌电容器 制造商尺寸代码 S
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电压 - 额定 4V
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氧化铌电容器 电压 - 额定 4V
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电流 - 漏泄 1μA
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耗散因数 6%
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氧化铌电容器 耗散因数 6%
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