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产品规格

封装/外壳	4-SMD（35 micro-X）
制造商	Broadcom Limited
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	35 micro-X
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 35mA，8V
频率 - 跃迁	8GHz
功率 - 最大值	600mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	10dB ~ 13.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
关键词

产品资料

标准包装	100
其它名称	516-1858 AT-42035G-ND

封装/外壳 4-SMD（35 micro-X）  Broadcom Limited 封装/外壳 4-SMD（35 micro-X）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 4-SMD（35 micro-X）  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 4-SMD（35 micro-X）   制造商 Broadcom Limited  Broadcom Limited 制造商 Broadcom Limited  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Broadcom Limited  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Broadcom Limited   安装类型 表面贴装  Broadcom Limited 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Broadcom Limited 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Broadcom Limited 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Broadcom Limited 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  Broadcom Limited 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 35 micro-X  Broadcom Limited 供应商器件封装 35 micro-X  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 35 micro-X  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 35 micro-X   晶体管类型 NPN  Broadcom Limited 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 35mA，8V  Broadcom Limited 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 35mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 35mA，8V  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 35mA，8V   频率 - 跃迁 8GHz  Broadcom Limited 频率 - 跃迁 8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz   功率 - 最大值 600mW  Broadcom Limited 功率 - 最大值 600mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 600mW  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 600mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  Broadcom Limited 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Broadcom Limited 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 10dB ~ 13.5dB  Broadcom Limited 增益 10dB ~ 13.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 13.5dB  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 13.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  Broadcom Limited 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  Broadcom Limited 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz