2SA1977-A,CEL,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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2SA1977-A - 

TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23

  • 已过时的产品。
CEL 2SA1977-A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
CEL CEL
制造商产品编号：
2SA1977-A
仓库库存编号：
2SA1977-A-ND
描述：
TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor PNP 12V 50mA 8.5GHz 200mW Surface Mount
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SA1977-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪带  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  -  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  20 @ 20mA，8V  
  频率 - 跃迁  8.5GHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  50mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  12V  
  增益  12dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  1.5dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 NE97733, 2SA1977
标准包装 1

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封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  CEL 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL   安装类型 表面贴装  CEL 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  CEL 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪带  CEL 包装 剪带  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪带  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪带   零件状态 过期  CEL 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 -  CEL 供应商器件封装 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 -   晶体管类型 PNP  CEL 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 PNP  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 20mA，8V  CEL 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 20mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 20mA，8V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 20mA，8V   频率 - 跃迁 8.5GHz  CEL 频率 - 跃迁 8.5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8.5GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8.5GHz   功率 - 最大值 200mW  CEL 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  CEL 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  CEL 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 12dB  CEL 增益 12dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12dB  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 1GHz  CEL 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 1GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 1GHz  
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