2SC5012-T1-A,CEL,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频

专业代理销售st（意法）全系列产品

关于我们 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

美国1号仓库

分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 射频

> 2SC5012-T1-A

2SC5012-T1-A -

RF TRANSISTOR NPN SOT-343

已过时的产品。

CEL 2SC5012-T1-A

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: CEL CEL
制造商产品编号：: 2SC5012-T1-A
仓库库存编号：: 2SC5012-T1-A-ND
描述：: RF TRANSISTOR NPN SOT-343
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 150mW Surface Mount SOT-343

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2SC5012-T1-A产品属性

产品规格

封装/外壳	SC-82A，SOT-343
制造商	CEL
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-343
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	50 @ 20mA，8V
频率 - 跃迁	9GHz
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	65mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	10V
增益	15dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.2dB @ 1GHz
关键词

产品资料

数据列表	RF Wireless Brochure NE68118, 2SC5012
标准包装	3,000

2SC5012-T1-A相关搜索

封装/外壳 SC-82A，SOT-343 CEL 封装/外壳 SC-82A，SOT-343 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频封装/外壳 SC-82A，SOT-343 CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频封装/外壳 SC-82A，SOT-343 制造商 CEL CEL 制造商 CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频制造商 CEL CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频制造商 CEL 安装类型表面贴装 CEL 安装类型表面贴装晶体管 - 双极 (BJT) - 射频安装类型表面贴装 CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频安装类型表面贴装工作温度 150°C（TJ） CEL 工作温度 150°C（TJ）晶体管 - 双极 (BJT) - 射频工作温度 150°C（TJ） CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频工作温度 150°C（TJ）系列 - CEL 系列 - 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频系列 - CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频系列 - 包装带卷（TR） CEL 包装带卷（TR）晶体管 - 双极 (BJT) - 射频包装带卷（TR） CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频包装带卷（TR）零件状态过期 CEL 零件状态过期晶体管 - 双极 (BJT) - 射频零件状态过期 CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频零件状态过期供应商器件封装 SOT-343 CEL 供应商器件封装 SOT-343 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频供应商器件封装 SOT-343 CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频供应商器件封装 SOT-343 晶体管类型 NPN CEL 晶体管类型 NPN 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频晶体管类型 NPN CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频晶体管类型 NPN 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 20mA，8V CEL 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 20mA，8V 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 20mA，8V CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 20mA，8V 频率 - 跃迁 9GHz CEL 频率 - 跃迁 9GHz 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频频率 - 跃迁 9GHz CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频频率 - 跃迁 9GHz 功率 - 最大值 150mW CEL 功率 - 最大值 150mW 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频功率 - 最大值 150mW CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频功率 - 最大值 150mW 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 65mA CEL 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 65mA 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电流 - 集电极（Ic）（最大值） 65mA CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电流 - 集电极（Ic）（最大值） 65mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 10V CEL 电压 - 集射极击穿（最大值） 10V 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电压 - 集射极击穿（最大值） 10V CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电压 - 集射极击穿（最大值） 10V 增益 15dB CEL 增益 15dB 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频增益 15dB CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频增益 15dB 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.2dB @ 1GHz CEL 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.2dB @ 1GHz 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.2dB @ 1GHz CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.2dB @ 1GHz

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

st（意法）简介 | st产品 | st动态 | 产品应用 | st选型手册

Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号