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2SC5606-A
2SC5606-A -
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
2SC5606-A
仓库库存编号:
2SC5606-A-ND
描述:
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Surface Mount
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2SC5606-A产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-523
制造商
CEL
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪带
零件状态
过期
供应商器件封装
-
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
60 @ 5mA,2V
频率 - 跃迁
21GHz
功率 - 最大值
115mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
35mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
3.3V
增益
12.5dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.2dB @ 2GHz
关键词
产品资料
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NE66219,2SC5606
标准包装
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安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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包装 剪带
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零件状态 过期
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
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晶体管类型 NPN
CEL 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,2V
CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,2V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,2V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,2V
频率 - 跃迁 21GHz
CEL 频率 - 跃迁 21GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 21GHz
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功率 - 最大值 115mW
CEL 功率 - 最大值 115mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 115mW
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 3.3V
CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 3.3V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 3.3V
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增益 12.5dB
CEL 增益 12.5dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12.5dB
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.2dB @ 2GHz
CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.2dB @ 2GHz
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