CE3512K2-C1,CEL,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

CE3512K2-C1 - 

RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

CEL CE3512K2-C1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL CEL
制造商产品编号:
CE3512K2-C1
仓库库存编号:
CE3512K2-C1CT-ND
描述:
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

CE3512K2-C1产品属性


产品规格
  封装/外壳  4-Micro-X  
  制造商  CEL  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  频率  12GHz  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  4-Micro-X  
  电压 - 额定  4V  
  额定电流  15mA  
  晶体管类型  pHEMT FET  
  电流 - 测试  10mA  
  增益  13.7dB  
  噪声系数  0.5dB  
  电压 - 测试  2V  
  功率 - 输出  125mW  
关键词         

产品资料
数据列表 CE3512K2
标准包装 1
其它名称 CE3512K2-C1CT

CE3512K2-C1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

CE3512K2-C1相关搜索

封装/外壳 4-Micro-X  CEL 封装/外壳 4-Micro-X  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 4-Micro-X  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 4-Micro-X   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 CEL   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -   包装 剪切带(CT)   CEL 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 剪切带(CT)   CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 剪切带(CT)    频率 12GHz  CEL 频率 12GHz  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 12GHz  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 12GHz   零件状态 在售  CEL 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 在售  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 4-Micro-X  CEL 供应商器件封装 4-Micro-X  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 4-Micro-X  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 4-Micro-X   电压 - 额定 4V  CEL 电压 - 额定 4V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 4V  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 4V   额定电流 15mA  CEL 额定电流 15mA  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 15mA  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 15mA   晶体管类型 pHEMT FET  CEL 晶体管类型 pHEMT FET  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 pHEMT FET  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 pHEMT FET   电流 - 测试 10mA  CEL 电流 - 测试 10mA  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 10mA  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 10mA   增益 13.7dB  CEL 增益 13.7dB  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 13.7dB  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 13.7dB   噪声系数 0.5dB  CEL 噪声系数 0.5dB  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 0.5dB  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 0.5dB   电压 - 测试 2V  CEL 电压 - 测试 2V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V   功率 - 输出 125mW  CEL 功率 - 输出 125mW  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 125mW  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 125mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号