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NE350184C
NE350184C -
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE350184C
仓库库存编号:
NE350184C-ND
描述:
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB 84C
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE350184C产品属性
产品规格
封装/外壳
微型-X 陶瓷 84C
制造商
CEL
系列
-
包装
散装
频率
20GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
84C
电压 - 额定
4V
额定电流
70mA
晶体管类型
HFET
电流 - 测试
10mA
增益
13.5dB
噪声系数
0.7dB
电压 - 测试
2V
功率 - 输出
-
关键词
产品资料
数据列表
NE350184C
标准包装
1
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制造商 CEL
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包装 散装
CEL 包装 散装
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频率 20GHz
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CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 20GHz
零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
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供应商器件封装 84C
CEL 供应商器件封装 84C
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电压 - 额定 4V
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CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 4V
额定电流 70mA
CEL 额定电流 70mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 70mA
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 70mA
晶体管类型 HFET
CEL 晶体管类型 HFET
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 HFET
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 HFET
电流 - 测试 10mA
CEL 电流 - 测试 10mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 10mA
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 10mA
增益 13.5dB
CEL 增益 13.5dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 13.5dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 13.5dB
噪声系数 0.7dB
CEL 噪声系数 0.7dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 0.7dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 0.7dB
电压 - 测试 2V
CEL 电压 - 测试 2V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V
功率 - 输出 -
CEL 功率 - 输出 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 -
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 -
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