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NE3512S02-T1C-A -

HJ-FET NCH 13.5DB S02

已过时的产品。

CEL NE3512S02-T1C-A

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: CEL CEL
制造商产品编号：: NE3512S02-T1C-A
仓库库存编号：: NE3512S02-T1C-ACT-ND
描述：: HJ-FET NCH 13.5DB S02
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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NE3512S02-T1C-A产品属性

产品规格

封装/外壳	4-SMD，扁平引线
制造商	CEL
系列	-
包装	剪切带（CT）
频率	12GHz
零件状态	过期
供应商器件封装	S02
电压 - 额定	4V
额定电流	70mA
晶体管类型	HFET
电流 - 测试	10mA
增益	13.5dB
噪声系数	0.35dB
电压 - 测试	2V
功率 - 输出	-
关键词

产品资料

数据列表	NE3512S02 RF Wireless Brochure
标准包装	1
其它名称	NE3512S02-T1C-ACT

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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作

CEL
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X

型号：CE3512K2-C1
仓库库存编号：CE3512K2-C1CT-ND
别名：CE3512K2-C1CT
无铅
搜索

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邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

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