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NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A -
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE3515S02-T1C-A
仓库库存编号:
NE3515S02-T1C-ACT-ND
描述:
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE3515S02-T1C-A产品属性
产品规格
封装/外壳
4-SMD,扁平引线
制造商
CEL
系列
-
包装
剪切带(CT)
频率
12GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
S02
电压 - 额定
4V
额定电流
88mA
晶体管类型
HFET
电流 - 测试
10mA
增益
12.5dB
噪声系数
0.3dB
电压 - 测试
2V
功率 - 输出
14dBm
关键词
产品资料
数据列表
RF Wireless Brochure
NE3515S02
标准包装
1
其它名称
NE3515S02-T1C-ACT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:516-1784-1
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别名:516-3220-1
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型号:
CE3512K2-C1
仓库库存编号:
CE3512K2-C1CT-ND
别名:CE3512K2-C1CT
无铅
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CEL
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详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 20GHz 13.8dB 125mW 4-Micro-X
型号:
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别名:CE3520K3-C1CT
无铅
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CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 14dBm
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