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NE3516S02-A
NE3516S02-A -
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE3516S02-A
仓库库存编号:
NE3516S02-A-ND
描述:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE3516S02-A产品属性
产品规格
封装/外壳
4-SMD,扁平引线
制造商
CEL
系列
-
包装
散装
频率
12GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
S02
电压 - 额定
4V
额定电流
60mA
晶体管类型
N 沟道 GaAs HJ-FET
电流 - 测试
10mA
增益
14dB
噪声系数
0.35dB
电压 - 测试
2V
功率 - 输出
165mW
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NE3516S02
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包装 散装
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供应商器件封装 S02
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电压 - 额定 4V
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额定电流 60mA
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晶体管类型 N 沟道 GaAs HJ-FET
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电流 - 测试 10mA
CEL 电流 - 测试 10mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 10mA
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增益 14dB
CEL 增益 14dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 14dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 14dB
噪声系数 0.35dB
CEL 噪声系数 0.35dB
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电压 - 测试 2V
CEL 电压 - 测试 2V
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CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V
功率 - 输出 165mW
CEL 功率 - 输出 165mW
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 165mW
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 165mW
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