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NE3521M04-T2-A
NE3521M04-T2-A -
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE3521M04-T2-A
仓库库存编号:
NE3521M04-T2-ATR-ND
描述:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE3521M04-T2-A产品属性
产品规格
封装/外壳
4-SMD,扁平引线
制造商
CEL
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
20GHz
零件状态
过期
电压 - 额定
4V
额定电流
70mA
晶体管类型
N 沟道 GaAs HJ-FET
电流 - 测试
6mA
增益
11dB
噪声系数
0.85dB
电压 - 测试
2V
功率 - 输出
-
关键词
产品资料
数据列表
NE3521M04
标准包装
3,000
其它名称
NE3521M04-T2-ATR
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制造商 CEL
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包装 带卷(TR)
CEL 包装 带卷(TR)
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频率 20GHz
CEL 频率 20GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 20GHz
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 20GHz
零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
电压 - 额定 4V
CEL 电压 - 额定 4V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 4V
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 4V
额定电流 70mA
CEL 额定电流 70mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 70mA
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 70mA
晶体管类型 N 沟道 GaAs HJ-FET
CEL 晶体管类型 N 沟道 GaAs HJ-FET
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 N 沟道 GaAs HJ-FET
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 N 沟道 GaAs HJ-FET
电流 - 测试 6mA
CEL 电流 - 测试 6mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 6mA
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 6mA
增益 11dB
CEL 增益 11dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 11dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 11dB
噪声系数 0.85dB
CEL 噪声系数 0.85dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 0.85dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 0.85dB
电压 - 测试 2V
CEL 电压 - 测试 2V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 2V
功率 - 输出 -
CEL 功率 - 输出 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 -
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 -
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