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NE462M02-AZ
NE462M02-AZ -
RF TRANSISTOR NPN SOT-90
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE462M02-AZ
仓库库存编号:
NE462M02-AZ-ND
描述:
RF TRANSISTOR NPN SOT-90
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 150mA 6GHz 1.8W Surface Mount
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE462M02-AZ产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-243AA
制造商
CEL
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪带
零件状态
过期
供应商器件封装
-
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
50 @ 50mA,5V
频率 - 跃迁
6GHz
功率 - 最大值
1.8W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
增益
10dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
3.5dB @ 1GHz
关键词
产品资料
数据列表
NE462M02, 2SC5338
标准包装
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制造商 CEL
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL
安装类型 表面贴装
CEL 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪带
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪带
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零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 -
CEL 供应商器件封装 -
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晶体管类型 NPN
CEL 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 50mA,5V
CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 50mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 50mA,5V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 50mA,5V
频率 - 跃迁 6GHz
CEL 频率 - 跃迁 6GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 6GHz
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功率 - 最大值 1.8W
CEL 功率 - 最大值 1.8W
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.8W
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA
CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
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增益 10dB
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
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