NE5550279A-T1-A,CEL,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NE5550279A-T1-A - 

FET RF 30V 900MHZ 79A

  • 已过时的产品。
CEL NE5550279A-T1-A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL CEL
制造商产品编号:
NE5550279A-T1-A
仓库库存编号:
NE5550279A-T1-A-ND
描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 7.5V 40mA 900MHz 22.5dB 33dBm 79A
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NE5550279A-T1-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  4-SMD,扁平引线  
  制造商  CEL  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  频率  900MHz  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  79A  
  电压 - 额定  30V  
  额定电流  600mA  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  40mA  
  增益  22.5dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  7.5V  
  功率 - 输出  33dBm  
关键词         

产品资料
数据列表 NE5550279A
标准包装 1,000

NE5550279A-T1-A相关搜索

封装/外壳 4-SMD,扁平引线  CEL 封装/外壳 4-SMD,扁平引线  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 4-SMD,扁平引线  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 4-SMD,扁平引线   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 CEL   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -   包装 带卷(TR)   CEL 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)   CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)    频率 900MHz  CEL 频率 900MHz  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 900MHz  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 900MHz   零件状态 过期  CEL 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 79A  CEL 供应商器件封装 79A  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 79A  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 79A   电压 - 额定 30V  CEL 电压 - 额定 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 30V  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 30V   额定电流 600mA  CEL 额定电流 600mA  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 600mA  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 600mA   晶体管类型 LDMOS  CEL 晶体管类型 LDMOS  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS   电流 - 测试 40mA  CEL 电流 - 测试 40mA  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 40mA  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 40mA   增益 22.5dB  CEL 增益 22.5dB  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 22.5dB  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 22.5dB   噪声系数 -  CEL 噪声系数 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -   电压 - 测试 7.5V  CEL 电压 - 测试 7.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 7.5V  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 7.5V   功率 - 输出 33dBm  CEL 功率 - 输出 33dBm  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 33dBm  CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 33dBm  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号