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NE5550979A-T1-A
NE5550979A-T1-A -
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE5550979A-T1-A
仓库库存编号:
NE5550979A-T1-A-ND
描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE5550979A-T1-A产品属性
产品规格
封装/外壳
79A
制造商
CEL
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
900MHz
零件状态
过期
供应商器件封装
79A
电压 - 额定
30V
额定电流
3A
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
200mA
增益
22dB
噪声系数
-
电压 - 测试
7.5V
功率 - 输出
38.6dBm
关键词
产品资料
数据列表
NE5550979A
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 CEL
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包装 带卷(TR)
CEL 包装 带卷(TR)
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频率 900MHz
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零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 79A
CEL 供应商器件封装 79A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 79A
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电压 - 额定 30V
CEL 电压 - 额定 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 30V
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 30V
额定电流 3A
CEL 额定电流 3A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 3A
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 3A
晶体管类型 LDMOS
CEL 晶体管类型 LDMOS
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
电流 - 测试 200mA
CEL 电流 - 测试 200mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 200mA
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 200mA
增益 22dB
CEL 增益 22dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 22dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 22dB
噪声系数 -
CEL 噪声系数 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
电压 - 测试 7.5V
CEL 电压 - 测试 7.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 7.5V
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 7.5V
功率 - 输出 38.6dBm
CEL 功率 - 输出 38.6dBm
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 38.6dBm
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 38.6dBm
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