NE58219-T1-A,CEL,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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NE58219-T1-A - 

TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI

  • 已过时的产品。
CEL NE58219-T1-A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
CEL CEL
制造商产品编号：
NE58219-T1-A
仓库库存编号：
NE58219-T1-ACT-ND
描述：
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NE58219-T1-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-75，SOT-416  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  125°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  3 针 SuperMiniMold（19）  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  60 @ 5mA，5V  
  频率 - 跃迁  5GHz  
  功率 - 最大值  100mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  60mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  12V  
  增益  -  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  -  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 NE58219-T1-ACT

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