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NE651R479A-T1-A
NE651R479A-T1-A -
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
已过时的产品。
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制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE651R479A-T1-A
仓库库存编号:
NE651R479A-T1-A-ND
描述:
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet HFET 3.5V 50mA 1.9GHz 12dB 27dBm 79A
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE651R479A-T1-A产品属性
产品规格
封装/外壳
4-SMD,扁平引线
制造商
CEL
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
1.9GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
79A
电压 - 额定
8V
额定电流
1A
晶体管类型
HFET
电流 - 测试
50mA
增益
12dB
噪声系数
-
电压 - 测试
3.5V
功率 - 输出
27dBm
关键词
产品资料
数据列表
NE651R479A
标准包装
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制造商 CEL
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包装 带卷(TR)
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频率 1.9GHz
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.9GHz
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零件状态 过期
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CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 79A
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电压 - 额定 8V
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额定电流 1A
CEL 额定电流 1A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 1A
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 1A
晶体管类型 HFET
CEL 晶体管类型 HFET
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 HFET
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 HFET
电流 - 测试 50mA
CEL 电流 - 测试 50mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 50mA
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 50mA
增益 12dB
CEL 增益 12dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 12dB
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 12dB
噪声系数 -
CEL 噪声系数 -
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CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
电压 - 测试 3.5V
CEL 电压 - 测试 3.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 3.5V
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 3.5V
功率 - 输出 27dBm
CEL 功率 - 输出 27dBm
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 27dBm
CEL 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 27dBm
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