NE68033-T1B-A,CEL,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
>
NE68033-T1B-A
NE68033-T1B-A -
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE68033-T1B-A
仓库库存编号:
NE68033-T1B-ACT-ND
描述:
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
NE68033-T1B-A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
CEL
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
50 @ 10mA,6V
频率 - 跃迁
10GHz
功率 - 最大值
200mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
35mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
10V
增益
9dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.8dB @ 2GHz
关键词
产品资料
数据列表
NE68033, 2SC3585
标准包装
1
其它名称
NE68033-T1B-ACT
NE68033-T1B-A相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CEL 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 CEL
CEL 制造商 CEL
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL
安装类型 表面贴装
CEL 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
CEL 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
CEL 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
包装 剪切带(CT)
CEL 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23
CEL 供应商器件封装 SOT-23
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23
晶体管类型 NPN
CEL 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,6V
CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,6V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,6V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,6V
频率 - 跃迁 10GHz
CEL 频率 - 跃迁 10GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz
功率 - 最大值 200mW
CEL 功率 - 最大值 200mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 35mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 10V
CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 10V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 10V
增益 9dB
CEL 增益 9dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB @ 2GHz
CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB @ 2GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB @ 2GHz
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB @ 2GHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号