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NE681M03-A
NE681M03-A -
TRANSISTOR NPN 1GHZ M03
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE681M03-A
仓库库存编号:
NE681M03-A-ND
描述:
TRANSISTOR NPN 1GHZ M03
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 10V 65mA 7GHz 125mW Surface Mount M03
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE681M03-A产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-623F
制造商
CEL
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
M03
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 7mA,3V
频率 - 跃迁
7GHz
功率 - 最大值
125mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
65mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
10V
增益
-
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
关键词
产品资料
标准包装
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制造商 CEL
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安装类型 表面贴装
CEL 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 散装
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零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 M03
CEL 供应商器件封装 M03
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M03
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晶体管类型 NPN
CEL 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 7mA,3V
CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 7mA,3V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 7mA,3V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 7mA,3V
频率 - 跃迁 7GHz
CEL 频率 - 跃迁 7GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 7GHz
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功率 - 最大值 125mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 125mW
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 65mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 10V
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
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