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NE85633-R25-A - 

RF TRANSISTOR NPN SOT-23

  • 已过时的产品。
CEL NE85633-R25-A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
CEL CEL
制造商产品编号：
NE85633-R25-A
仓库库存编号：
NE85633-R25-A-ND
描述：
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NE85633-R25-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-23  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  125 @ 20mA, 10V  
  频率 - 跃迁  7GHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  12V  
  增益  11.5dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  1.1dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 NE85633, 2SC3356
标准包装 1

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封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  CEL 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL   安装类型 表面贴装  CEL 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  CEL 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   CEL 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  CEL 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23  CEL 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23   晶体管类型 NPN  CEL 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 20mA, 10V  CEL 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 20mA, 10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 20mA, 10V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 20mA, 10V   频率 - 跃迁 7GHz  CEL 频率 - 跃迁 7GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 7GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 7GHz   功率 - 最大值 200mW  CEL 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  CEL 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  CEL 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 11.5dB  CEL 增益 11.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11.5dB  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.1dB @ 1GHz  CEL 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.1dB @ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.1dB @ 1GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.1dB @ 1GHz  
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