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NE85634-T1-RE-A
NE85634-T1-RE-A -
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL
CEL
制造商产品编号:
NE85634-T1-RE-A
仓库库存编号:
NE85634-T1-RE-A-ND
描述:
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NE85634-T1-RE-A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-243AA
制造商
CEL
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-89
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
125 @ 20mA, 10V
频率 - 跃迁
6.5GHz
功率 - 最大值
1.2W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
增益
9dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.1dB @ 1GHz
关键词
产品资料
标准包装
1,000
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封装/外壳 TO-243AA
CEL 封装/外壳 TO-243AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-243AA
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制造商 CEL
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL
安装类型 表面贴装
CEL 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
CEL 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
CEL 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
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包装 带卷(TR)
CEL 包装 带卷(TR)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷(TR)
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
CEL 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-89
CEL 供应商器件封装 SOT-89
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-89
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-89
晶体管类型 NPN
CEL 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 125 @ 20mA, 10V
CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 125 @ 20mA, 10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 125 @ 20mA, 10V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 125 @ 20mA, 10V
频率 - 跃迁 6.5GHz
CEL 频率 - 跃迁 6.5GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 6.5GHz
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 6.5GHz
功率 - 最大值 1.2W
CEL 功率 - 最大值 1.2W
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.2W
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.2W
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
增益 9dB
CEL 增益 9dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
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