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NE85639-T1-A - 

RF TRANSISTOR NPN SOT-143

  • 已过时的产品。
CEL NE85639-T1-A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL CEL
制造商产品编号:
NE85639-T1-A
仓库库存编号:
NE85639-T1-ACT-ND
描述:
RF TRANSISTOR NPN SOT-143
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NE85639-T1-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-253-4,TO-253AA  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-143  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  50 @ 20mA,10V  
  频率 - 跃迁  9GHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  12V  
  增益  13dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  1.1dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 RF Wireless Brochure
NE85639, 2SC4093
标准包装 1
其它名称 NE85639-T1-ACT

NE85639-T1-A相关搜索

封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA  CEL 封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL   安装类型 表面贴装  CEL 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  CEL 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带(CT)   CEL 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)   CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)    零件状态 过期  CEL 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-143  CEL 供应商器件封装 SOT-143  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-143  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-143   晶体管类型 NPN  CEL 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 20mA,10V  CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 20mA,10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 20mA,10V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 20mA,10V   频率 - 跃迁 9GHz  CEL 频率 - 跃迁 9GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 9GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 9GHz   功率 - 最大值 200mW  CEL 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V   增益 13dB  CEL 增益 13dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz  CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz  
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