NESG2101M05-A,CEL,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NESG2101M05-A - 

TRANS NPN 2GHZ M05

  • 不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
CEL NESG2101M05-A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
CEL CEL
制造商产品编号：
NESG2101M05-A
仓库库存编号：
NESG2101M05-A-ND
描述：
TRANS NPN 2GHZ M05
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 5V 100mA 17GHz 500mW Surface Mount M05
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NESG2101M05-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-343F  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  M05  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  130 @ 15mA，2V  
  频率 - 跃迁  17GHz  
  功率 - 最大值  500mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  5V  
  增益  11dB ~ 19dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 NESG2101M05A

NESG2101M05-A相关搜索

封装/外壳 SOT-343F  CEL 封装/外壳 SOT-343F  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-343F  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-343F   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL   安装类型 表面贴装  CEL 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  CEL 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   CEL 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态  已不再提供  CEL 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 M05  CEL 供应商器件封装 M05  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M05  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M05   晶体管类型 NPN  CEL 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 15mA，2V  CEL 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 15mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 15mA，2V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 15mA，2V   频率 - 跃迁 17GHz  CEL 频率 - 跃迁 17GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 17GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 17GHz   功率 - 最大值 500mW  CEL 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 500mW  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  CEL 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 5V  CEL 电压 - 集射极击穿（最大值） 5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 5V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 5V   增益 11dB ~ 19dB  CEL 增益 11dB ~ 19dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB ~ 19dB  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB ~ 19dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  CEL 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号