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产品规格

封装/外壳	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-39
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 150mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	800mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 50mA，500mA
频率 - 跃迁	250MHz
关键词

产品资料

数据列表	2N2218(A)
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
设计资源	2N2218A Spice Model
标准包装	500
其它名称	2N2218A LEAD FREE

封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-39  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-39  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-39  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-39   晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 150mA，10V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 150mA，10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 150mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 800mW  Central Semiconductor Corp Power - Max 800mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 800mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 800mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 800mA  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 800mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 250MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz