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产品规格

封装/外壳	TO-78-6 金属罐
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-78-6
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	125 @ 1mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	10nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 500μA，5mA
频率 - 跃迁	60MHz
功率 - 最大值	1.2W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
关键词

产品资料

标准包装	1

封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装    零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-78-6  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-78-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6   晶体管类型 2 NPN（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 1mA，5V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 1mA，5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 1mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500μA，5mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500μA，5mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500μA，5mA   频率 - 跃迁 60MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 60MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 60MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 60MHz   功率 - 最大值 1.2W  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 1.2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.2W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.2W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V