2N5190,Central Semiconductor Corp,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2N5190
2N5190 -
TRANS NPN 40V 4A TO126
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp
制造商产品编号:
2N5190
仓库库存编号:
2N5190CS-ND
描述:
TRANS NPN 40V 4A TO126
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 4A 2MHz 40W Through Hole TO-126
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N5190产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-225AA,TO-126-3
制造商
Central Semiconductor Corp
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-126
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
25 @ 1.5A,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Power - Max
40W
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1.4V @ 1A,4A
频率 - 跃迁
2MHz
关键词
产品资料
数据列表
2N5190(R) -2N5192(R)
标准包装
1,000
其它名称
2N5190CS
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封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3
制造商 Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp
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安装类型 通孔
Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Central Semiconductor Corp 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 散装
Central Semiconductor Corp 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
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零件状态 过期
Central Semiconductor Corp 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-126
Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-126
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-126
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晶体管类型 NPN
Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 1.5A,2V
Central Semiconductor Corp 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 1.5A,2V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 1.5A,2V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Power - Max 40W
Central Semiconductor Corp Power - Max 40W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W
电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
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Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.4V @ 1A,4A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.4V @ 1A,4A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 2MHz
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