BC846BR TR,Central Semiconductor Corp,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BC846BR TR
BC846BR TR -
TRANSISTOR-SMALL SINGAL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp
制造商产品编号:
BC846BR TR
仓库库存编号:
BC846BR CT-ND
描述:
TRANSISTOR-SMALL SINGAL
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100MHz Surface Mount SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BC846BR TR产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Central Semiconductor Corp
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
200 @ 2mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
电流 - 集电极截止(最大值)
15nA(ICBO)
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 500μA,10mA
频率 - 跃迁
100MHz
关键词
产品资料
数据列表
BC846 - 48 Series
标准包装
1
其它名称
BC846BR CT
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp
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安装类型 表面贴装
Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Central Semiconductor Corp 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-23
Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-23
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23
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晶体管类型 NPN
Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
Central Semiconductor Corp 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 500μA,10mA
Central Semiconductor Corp 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 500μA,10mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 500μA,10mA
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 500μA,10mA
频率 - 跃迁 100MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz
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