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产品规格

封装/外壳	TO-206AF，TO-72-4 金属罐
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-72
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 25mA，1V
频率 - 跃迁	1.4GHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	25mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	23dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	5.5dB @ 800MHz
关键词

产品资料

数据列表	BFX89, BFY90
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
设计资源	BFY90 Spice Model
标准包装	2,000
其它名称	BFY90CS

封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-72  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-72  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-72  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-72   晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 25mA，1V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 25mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 25mA，1V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 25mA，1V   频率 - 跃迁 1.4GHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 1.4GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.4GHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.4GHz   功率 - 最大值 200mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 23dB  Central Semiconductor Corp 增益 23dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 5.5dB @ 800MHz  Central Semiconductor Corp 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 5.5dB @ 800MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 5.5dB @ 800MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 5.5dB @ 800MHz