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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-223
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	85 @ 500mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Power - Max	2W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 100mA，1A
频率 - 跃迁	65MHz
关键词

产品资料

数据列表	CBCP68, CBCP69
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
设计资源	CBCP69 Spice Model
标准包装	1,000

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Central Semiconductor Corp 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-223  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V   Power - Max 2W  Central Semiconductor Corp Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，1A  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，1A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，1A   频率 - 跃迁 65MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 65MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 65MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 65MHz