CEDM7004 TR,Central Semiconductor Corp,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
CEDM7004 TR
CEDM7004 TR -
MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp
制造商产品编号:
CEDM7004 TR
仓库库存编号:
CEDM7004 CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.78A(Ta) 100mW(Ta) SOT-883
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
CEDM7004 TR产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-101,SOT-883
制造商
Central Semiconductor Corp
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-883
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.79nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.78A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
43pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
CEDM7004
RoHS指令信息
RoHS Declaration of Compliance
设计资源
CEDM7004 Spice Model
标准包装
1
其它名称
CEDM7004 CT
CEDM7004 TR您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.78A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ390UN,315
仓库库存编号:
1727-5861-1-ND
别名:1727-5861-1
568-7442-1
568-7442-1-ND
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 450mA(Ta) 100mW(Ta) SOT-883VL
型号:
CEDM7004VL TR
仓库库存编号:
CEDM7004VL CT-ND
别名:CEDM7004VL CT
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ200UNEYL
仓库库存编号:
1727-2317-1-ND
别名:1727-2317-1
568-12603-1
568-12603-1-ND
无铅
搜索
CEDM7004 TR相关搜索
封装/外壳 SC-101,SOT-883
Central Semiconductor Corp 封装/外壳 SC-101,SOT-883
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-101,SOT-883
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-101,SOT-883
制造商 Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Central Semiconductor Corp
安装类型 表面贴装
Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Central Semiconductor Corp 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Central Semiconductor Corp 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Central Semiconductor Corp 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-883
Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-883
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-883
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-883
技术 MOSFET(金属氧化物)
Central Semiconductor Corp 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) 8V
Central Semiconductor Corp Vgs(最大值) 8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) 8V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) 8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.79nC @ 4.5V
Central Semiconductor Corp 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.79nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.79nC @ 4.5V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.79nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 460 毫欧 @ 200mA,4.5V
Central Semiconductor Corp 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 460 毫欧 @ 200mA,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 460 毫欧 @ 200mA,4.5V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 460 毫欧 @ 200mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Central Semiconductor Corp 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
FET 类型 N 沟道
Central Semiconductor Corp FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.78A(Ta)
Central Semiconductor Corp 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.78A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.78A(Ta)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.78A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
FET 功能 -
Central Semiconductor Corp FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 100mW(Ta)
Central Semiconductor Corp 功率耗散(最大值) 100mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 100mW(Ta)
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 100mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Central Semiconductor Corp 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号