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产品规格

封装/外壳	TO-237AA
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-237
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Power - Max	2.5W
电流 - 集电极截止（最大值）	-
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	-
频率 - 跃迁	50MHz
关键词

产品资料

数据列表	Power Transistors, TO-237
标准包装	2,000

封装/外壳 TO-237AA  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-237AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-237AA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-237AA   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Central Semiconductor Corp 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-237  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-237  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-237  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-237   晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V   Power - Max 2.5W  Central Semiconductor Corp Power - Max 2.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2.5W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2.5W   电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -   频率 - 跃迁 50MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 50MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz