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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DPAK
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	10 @ 3A，4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	1.56W
电流 - 集电极截止（最大值）	50μA
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.2V @ 375mA，3A
频率 - 跃迁	3MHz
关键词

产品资料

数据列表	CJD31C, CJD32C
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
标准包装	1
其它名称	CJD31C TR13-CT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK   晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 3A，4V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 3A，4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 3A，4V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 3A，4V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 1.56W  Central Semiconductor Corp Power - Max 1.56W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W   电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 375mA，3A  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 375mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 375mA，3A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 375mA，3A   频率 - 跃迁 3MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 3MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz