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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-563
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.2nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	900 毫欧 @ 430mA，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	430mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	175pF @ 16V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	350mW
关键词

产品资料

数据列表	CMLDM5757
设计资源	CMLDM5757 Spice Model
标准包装	1
其它名称	CMLDM5757 CT

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-563  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-563  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-563   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V  Central Semiconductor Corp 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 430mA，4.5V  Central Semiconductor Corp 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 430mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 430mA，4.5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 430mA，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Central Semiconductor Corp FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 430mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 430mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 430mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 430mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 175pF @ 16V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 175pF @ 16V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 175pF @ 16V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 175pF @ 16V   FET 功能 逻辑电平门  Central Semiconductor Corp FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Central Semiconductor Corp 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 350mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 350mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 350mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 350mW