CMLDM7484 TR,Central Semiconductor Corp,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

CMLDM7484 TR - 

MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563

Central Semiconductor Corp CMLDM7484 TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CMLDM7484 TR
仓库库存编号：
CMLDM7484 CT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 450mA 150mW Surface Mount SOT-563
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CMLDM7484 TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Central Semiconductor Corp  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-563  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.79nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  460 毫欧 @ 200mA，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道互补型  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  450mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  45pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  150mW  
关键词         

产品资料
数据列表 CMLDM7484
RoHS指令信息 RoHS Declaration of Compliance
设计资源 CMLDM7484 Spice Model
标准包装 1
其它名称 CMLDM7484 CT

CMLDM7484 TR您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

CMLDM7484 TR相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-563  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-563  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-563   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.79nC @ 4.5V  Central Semiconductor Corp 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.79nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.79nC @ 4.5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.79nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 460 毫欧 @ 200mA，4.5V  Central Semiconductor Corp 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 460 毫欧 @ 200mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 460 毫欧 @ 200mA，4.5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 460 毫欧 @ 200mA，4.5V   FET 类型 N 和 P 沟道互补型  Central Semiconductor Corp FET 类型 N 和 P 沟道互补型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 25V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 25V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 25V   FET 功能 标准  Central Semiconductor Corp FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Central Semiconductor Corp 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 150mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号