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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-563
晶体管类型	2 PNP（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 10mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	200mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	CMLT3904E(G), 06E(G), 46E(G)
标准包装	1
其它名称	CMLT3906EG CT

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-563  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-563  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-563   晶体管类型 2 PNP（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 2 PNP（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 10mA，1V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 10mA，1V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 10mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz   功率 - 最大值 150mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V