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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	220V
Power - Max	350mW
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	100mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
关键词

产品资料

数据列表	CMPT5551E
标准包装	1

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23   晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10mA，5V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10mA，5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V   Power - Max 350mW  Central Semiconductor Corp Power - Max 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA   Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 600mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz