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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-23
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 3mA，1V
频率 - 跃迁	600MHz
功率 - 最大值	350mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	11dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	6dB @ 60MHz
关键词

产品资料

数据列表	CMPT918
设计资源	CMPT918 Spice Model
标准包装	1
其它名称	CMPT918 CT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23   晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 3mA，1V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 3mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 3mA，1V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 3mA，1V   频率 - 跃迁 600MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 600MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 600MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 600MHz   功率 - 最大值 350mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 350mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 350mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 11dB  Central Semiconductor Corp 增益 11dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 6dB @ 60MHz  Central Semiconductor Corp 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 6dB @ 60MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 6dB @ 60MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 6dB @ 60MHz