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产品规格

封装/外壳	SOT-523
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-523
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	60 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Power - Max	250mW
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
关键词

产品资料

数据列表	CMUT5401
设计资源	CMUT5401 Spice Model
标准包装	1
其它名称	CMUT5401 CT

封装/外壳 SOT-523  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 SOT-523  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-523  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-523   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-523  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-523  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-523  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-523   晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 10mA，5V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 10mA，5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V   Power - Max 250mW  Central Semiconductor Corp Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 600mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz