CP527-2N6299-CT,Central Semiconductor Corp,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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CP527-2N6299-CT
CP527-2N6299-CT -
TRANS PNP DARL 100V 10A CHIP
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp
制造商产品编号：
CP527-2N6299-CT
仓库库存编号：
CP527-2N6299-CT-ND
描述：
TRANS PNP DARL 100V 10A CHIP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 8A 4MHz Surface Mount Die
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CP527-2N6299-CT产品属性
产品规格
封装/外壳
模具
制造商
Central Semiconductor Corp
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 200°C（TJ）
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
供应商器件封装
模具
晶体管类型
PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
750 @ 4A，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
电流 - 集电极截止（最大值）
500μA
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
3V @ 80mA，8A
频率 - 跃迁
4MHz
关键词
产品资料
数据列表
CP527
标准包装
1
其它名称
CP5272N6299CT
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封装/外壳 模具
Central Semiconductor Corp 封装/外壳 模具
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 模具
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 模具
制造商 Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp
安装类型 表面贴装
Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）
Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）
系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 托盘
Central Semiconductor Corp 包装 托盘
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 托盘
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 托盘
零件状态 在售
Central Semiconductor Corp 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 模具
Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 模具
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 模具
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晶体管类型 PNP - 达林顿
Central Semiconductor Corp 晶体管类型 PNP - 达林顿
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 4A，3V
Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 4A，3V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 4A，3V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 4A，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
电流 - 集电极截止（最大值） 500μA
Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 8A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 80mA，8A
Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 80mA，8A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 80mA，8A
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 80mA，8A
频率 - 跃迁 4MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz
Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz
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