CTLDM304P-M832DS TR,Central Semiconductor Corp,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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CTLDM304P-M832DS TR - 

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

Central Semiconductor Corp CTLDM304P-M832DS TR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CTLDM304P-M832DS TR
仓库库存编号:
CTLDM304P-M832DS CT-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.2A 1.65W Surface Mount TLM832DS
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CTLDM304P-M832DS TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-TDFN 裸露焊盘  
  制造商  Central Semiconductor Corp  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TLM832DS  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  6.4nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  70 毫欧 @ 4.2A,10V  
  FET 类型  2 个 P 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4.2A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  760pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.3V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  1.65W  
关键词         

产品资料
数据列表 CTLDM304P-M832DS
RoHS指令信息 RoHS Declaration of Compliance
设计资源 CTLDM304P-M832DS Spice Model
标准包装 1
其它名称 CTLDM304P-M832DS CT

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