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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	6.3nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	30 毫欧 @ 2.9A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.8A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

数据列表	CWDM305ND
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
设计资源	CWDM305ND Spice Model
标准包装	1
其它名称	CWDM305ND CT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 5V  Central Semiconductor Corp 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 2.9A，10V  Central Semiconductor Corp 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 2.9A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 2.9A，10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 2.9A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Central Semiconductor Corp FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A  Central Semiconductor Corp 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 10V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 10V   FET 功能 标准  Central Semiconductor Corp FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Central Semiconductor Corp 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 2W  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W