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产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-89
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	1.2W
电流 - 集电极截止（最大值）	-
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	250MHz
关键词

产品资料

数据列表	CXT3904,CXT3906
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
设计资源	CXT3906 Spice Model
标准包装	1
其它名称	CXT3906 CT

封装/外壳 TO-243AA  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-89  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-89  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89   晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 1.2W  Central Semiconductor Corp Power - Max 1.2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.2W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.2W   电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 250MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz