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产品规格

封装/外壳	TO-78-6 金属罐
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-78-6
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 10mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	-
频率 - 跃迁	500MHz
功率 - 最大值	-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	Dual Transistors TO-78 Case
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
标准包装	100
其它名称	MD2369A LEAD FREE

封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -  Central Semiconductor Corp 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装    零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-78-6  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-78-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6   晶体管类型 2 NPN（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -   频率 - 跃迁 500MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 500MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 500MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 500MHz   功率 - 最大值 -  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V