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产品规格

封装/外壳	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	16-SOIC
晶体管类型	4 PNP（四路）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 150mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	20nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.6V @ 50mA，500mA
频率 - 跃迁	250MHz
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	60V
关键词

产品资料

标准包装	350

封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-SOIC  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 16-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC   晶体管类型 4 PNP（四路）  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 4 PNP（四路）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP（四路）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP（四路）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 20nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 50mA，500mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 50mA，500mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 250MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz   功率 - 最大值 1W  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V