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产品规格

封装/外壳	14-DIP（0.300"，7.62mm）
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-116
晶体管类型	4 PNP（四路）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	250 @ 10mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	10nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 100μA，1mA
频率 - 跃迁	60MHz
功率 - 最大值	500mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	60V
关键词

产品资料

数据列表	MPQ3798, 99
标准包装	25

封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Central Semiconductor Corp 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-116  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-116  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-116  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-116   晶体管类型 4 PNP（四路）  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 4 PNP（四路）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP（四路）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP（四路）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 10mA，5V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 10mA，5V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 10mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100μA，1mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100μA，1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100μA，1mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100μA，1mA   频率 - 跃迁 60MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 60MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 60MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 60MHz   功率 - 最大值 500mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V