2N3906-G,Comchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2N3906-G
2N3906-G -
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Comchip Technology
Comchip Technology
制造商产品编号:
2N3906-G
仓库库存编号:
2N3906-G-ND
描述:
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz Through Hole TO-92
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N3906-G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Comchip Technology
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带盒(TB)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
30 @ 100mA,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
400mV @ 5mA,50mA
频率 - 跃迁
250MHz
关键词
产品资料
数据列表
2N3906-G Datasheet
标准包装
10,000
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
Comchip Technology 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商 Comchip Technology
Comchip Technology 制造商 Comchip Technology
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Comchip Technology
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安装类型 通孔
Comchip Technology 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Comchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Comchip Technology 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 带盒(TB)
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零件状态 在售
Comchip Technology 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-92
Comchip Technology 供应商器件封装 TO-92
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92
Comchip Technology 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92
晶体管类型 PNP
Comchip Technology 晶体管类型 PNP
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 100mA,1V
Comchip Technology 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 100mA,1V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 100mA,1V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Comchip Technology Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
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电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Comchip Technology 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Comchip Technology Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 5mA,50mA
Comchip Technology 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 5mA,50mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz
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